高負荷短絡耐性向けIGBTのターンオン動作における強い3次元性について

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22057,SPC22197

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Strong 3-dimensional behavior during turn-on switching of IGBTs designed for high short-circuit capability

著者名: 永久 克己(ルネサスエレクトロニクス),松浦 仁(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Katsumi Eikyu(Renesas Electronics Corp.),Hitoshi Matsuura(Renesas Electronics Corp.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ターンオン|電圧テール|三次元|ＴＣＡＤ|IGBT|turn-on|voltage tail|3D|TCAD

要約(日本語): 高負荷短絡耐量設計を施したIGBTにおいてターンオンスイッチング時に観測される電圧テール現象について3D TCADを用いて詳細解析し、複雑かつ3次元的なキャリア輸送の挙動がその原因であることを明らかにした。さらに、ソース拡散層の微細化等の対策によって電圧テールが抑制され、損失改善可能であることをsim.で検証した。

要約(英語): The voltage tail phenomenon observed during turn-on switching of IGBTs designed for high short-circuit capability was analyzed in detail using 3D TCAD. And it was clarified that the complex and 3-dimentional carrier transport behavior was the cause. Furthermore, the effectiveness of a couple of countermeasures were verified by simulation to suppress the tail and improve the loss.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 37-42 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,789 Kバイト