IGBTのターンオンdV/dtの解析手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22058,SPC22198

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Analysis method on turn-on dV/dt of IGBTs

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Akio Nakagawa(Nakagawa consulting office)

キーワード: ＩＧＢＴ|ターンオン|ｄＶ／ｄｔ|ＴＣＡＤ|IGBT|turn on|dV/dt|TCAD

要約(日本語): ダミートレンチを備えたIGBTのターンオン時にコレクタ電圧のdV/dtが低くなる現象であるターンオン電圧テールの発生メカニズムについて新たに開発した手法を用いて解析した結果を詳細に報告する。コレクタ電圧の低下し始めでは、電子は電位の高いトレンチ先端だけに蓄積するためゲート・コレクタ間容量Cgcは小さくdV/dtが高い。コレクタ電圧が低下するにしたがいゲートトレンチ周辺の電位は広い範囲でゲート電極の電位を下回ることで電子が蓄積するようになりCgcが増大するためdV/dtが低くなる。

要約(英語): In this work, we report detailed mechanism of turn-on voltage tail of IGBT that has dummy trench. At the beginning of collector voltage decrease, because electron gather only at the gate trench tip where electric potential is high, Gate collector capacitance Cgc is small and dV/dt is high. After the electric potential become flat, because the electric potential is below the gate electrode potential and there is potential difference between dummy trench and gate trench, electron gather around the gate trench and Cgc increases and dV/dt decreases.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 43-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,111 Kバイト