スプリットダミーアクティブCSTBTによるリカバリーdV/dt-ターンオン損失トレードの改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22059,SPC22199

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Split-Dummy-Active CSTBT for improving Recovery dV/dt and Turn-on Switching Loss trade-off

著者名: 小西 和也(三菱電機),西 康一(三菱電機),迫 紘平(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機)

著者名(英語): Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric Corporation),Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation),Kohei Sako(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|ゲート容量|スプリットゲート|リカバリーｄＶ／ｄｔ|ターンオン損失|IGBT|CSTBT|Gate capacitance|Split-gate|Recovery dV/dt|Turn-on switching loss

要約(日本語): リカバリーdV/dtとEonのトレードオフを改善するため, トレンチ内部の電極を2段に分割し, 上段の電極をエミッタ電位に, 下段の電極をゲート電位にしたスプリットダミーアクティブ構造を開発した。本構造により, リカバリーdV/dt-Eonトレードオフの46%改善を実現した。

要約(英語): IGBTs have the trade-off between recovery dV/dt and turn-on switching loss. In this study, we propose the split-dummy-active CSTBTTM with the intentionally increased gate-collector capacitance for the first time, and experimentally demonstrate its impact on the trade-off. The proposed structure successfully realizes advanced improvement in the trade-off by 46%.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 49-52 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,230 Kバイト