ホール制御型ゲートを有する4.5 kVダブルゲートRC-IEGT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22061,SPC22201

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): 4.5 kV Double-gate RC-IEGT with Hole Control Gate

著者名: 加藤 貴大(東芝　),下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ),坂野 竜則(東芝　),川上 陽代(東芝デバイス&ストレージ),早瀬 茂昭(東芝デバイス&ストレージ),井口 智明(東芝　),高尾 和人(東芝　)

著者名(英語): Takahiro Kato(Toshiba Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Akiyo Kawakami(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Shigeaki Hayase(Toshiba Electronic Device & Storage Corpo

キーワード: 逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ|ダブルゲート|ホール制御型ゲート|RC-IEGT|Double-gate|Hole control gate

要約(日本語): 大容量電力変換器の性能向上のため高耐圧パワーデバイスの低損失化が求められている。本研究では、ホール制御型ゲート(H-CG)を有するダブルゲート構造の逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ(RC-IEGT)に対し、ターンオフ前はH-CGに負電圧、逆回復前はH-CGに正電圧を印加する制御を行い、導通損失を悪化させずターンオフ損失と逆回復損失を低減できることを実証したので、その結果について発表する。

要約(英語): A 4.5 kV double-gate reverse-conducting injection-enhanced-gate-transistor (RC-IEGT) with a hole control gate (H-CG) has been developed for improving power conversion efficiencies for medium-voltage power converters utilized such as HVDC systems. In the developed double-gate RC-IEGT, a negative voltage is applied to the H-CG before the turn-off, while a positive voltage is applied to the H-CG before the reverse recovery mode. It was demonstrated that the fabricated H-CG type double-gate RC-IEGT reduced both the turn-off loss and the reverse recovery loss without increasing the conduction loss.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 57-62 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,655 Kバイト