低オン電圧と低スイッチング損失を両立する3.3kV両面ゲートIGBT（BC-IGBT）の性能向上への取り組み

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22062,SPC22202

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Superior Eoff - Vcesat Trade-off of 5V-Gate-Driven 3.3kV Back-gate-Controlled IGBTs (BC-IGBTs)

著者名: 更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),平本 俊郎(東京大学)

著者名(英語): Takuya Saraya(The University of Tokyo),Kazuo Itou(The University of Tokyo),Toshihiko Takakura(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Shinichi Suzuki(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Toshiro Hira

キーワード: 絶縁ゲートバイポランジスタ|両面ゲート|両面リソグラフィ|スケーリング|ＩＥ効果|IGBT|Double Gate|Double Side Lithography|Scaling|Injection Enhancement

要約(日本語): 両面ダブルゲートIGBT（BC-IGBT）の構造最適化により、ターンオフ損失とオン電圧トレードオフの大幅な改善を実現した。表面側構造としてトレンチ突き出しを、裏面構造としてpコレクタ濃度を変更し、ターンオフ損失の増加を抑えつつ、大幅なオン電圧低減（2.1V→1.7V）を実現した。この成果は、BC-IGBTが次世代の高性能スイッチングデバイスの有力な候補となりうることを示すものである。_x000D_

要約(英語): Superior performance of Back-gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) has been demonstrated. Front side trench gate extrusion and back side p-collector dose were varied to improve the performance. Optimizing the structural parameters of BC-IGBT, significant reduction of Vcesat (2.1 to 1.7V) was realized. These results show that BC-IGBT is an attractive candidate for a next generation high performance switching device._x000D_

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 63-67 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,247 Kバイト