弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデリングと低電圧カレントミラー回路における一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT22061

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2022/12/06

タイトル(英語): MOSFET Modeling of Temperature Dependence in Weak Inversion Region and a Study of Low-Voltage Current Mirror

著者名: 山本 遥哉(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Haruya Yamamoto(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|モデリング|弱反転領域|カレントミラー|温度特性|MOSFET|Modeling|Weak inversion|Current mirror|Temperature

要約(日本語): 消費電力低減のために用いられる弱反転領域では、温度変化に対して変動する微小電流はノイズなどと比較して相対的に影響を受けやすく、正確なモデル化が必要である。本研究ではP-MOSFETの弱反転領域における温度特性のモデリングを行う。さらに複数の素子を測定し、素子ごとのばらつきを考慮したモデルの提案を行う。またモデル式を用いて低電圧カレントミラー回路の動作を解析し、温度依存性低減化の条件を検討する。

要約(英語): MOSFET modeling of temperature dependence in weak inversion region must be accurate and reliable because the current variation should be considered. This research focuses on the pn junction to derive the model equation and compare it with the results of measurement. The model considers the variation between MOSFETs. The behavior of low-voltage current mirror is also investigated using the model equation, and the condition to reduce the temperature dependence is proposed.

本誌: 2022年12月9日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,382 Kバイト