画素内にTDCを用いない飽和時間検出型イメージセンサの入出力特性改善の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT22064

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2022/12/06

タイトル(英語): A study on input-output characteristics improvement of the saturation time detection CMOS image sensor circuit without in-pixel TDC

著者名: 坂中 和貴(青山学院大学),松谷 康之(青山学院大学)

著者名(英語): Kazuki Sakanaka(Aoyama Gakuin University Graduate School ),Yasuyuki Matsuya(Aoyama Gakuin University Graduate School )

キーワード: ＣＭＯＳイメージセンサ|広ダイナミックレンジ|フォトダイオード飽和時間|タイミング検出|不感帯|CMOS image sensor|Expand a dynamic range|Photodiode saturation time|Timing detection|Dead zone

要約(日本語): 近年、CMOSイメージセンサは広ダイナミックレンジ化が進んでいる。CMOSイメージセンサにおける広ダイナミックレンジ化の手法として飽和時間検出回路が提案されている。先行研究では4Tr回路及びNMOSTrのみを用いた飽和時間検出回路を組み合わせることで広ダイナミックレンジ化を実現した。本検討では信号処理回路を具体化し、出力の補正を行うことにより入出力特性に生じる検出不可能な照度範囲の解消を行う。

要約(英語): Recently, the expansion of dynamic range is required for CMOS image sensor (CIS). The saturation time detection CIS circuit is proposed for expanding a dynamic range. In the previous study of the saturation time detection CIS, we proposed a pixel circuit for improving dynamic range by combining 4 transistors circuit and the saturation time detection circuit using only NMOS transistors. In this study, we propose the correction method of input-output characteristics to reduce the undetectable illuminance ranges by a signal processing.

本誌: 2022年12月9日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 27-31 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,079 Kバイト