インターンシップでのLSI評価に基づくシミュレーションと実測との差異に関する考察
インターンシップでのLSI評価に基づくシミュレーションと実測との差異に関する考察
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT22078
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2022/12/06
タイトル(英語): Discussion on the difference between simulation and measurement based on LSI evaluation in internship
著者名: 梅本 翔多郎(東京理科大学),宮内 亮一(東京理科大学),阿部 元気(東京理科大学),福地 裕(東京理科大学)
著者名(英語): Shotaro Umemoto(Tokyo University of Science),Ryoichi Miyauchi(Tokyo University of Science),Genki Abe(Tokyo University of Science),Yutaka Fukuchi(Tokyo University of Science)
キーワード: CMOSオペアンプ|LSI評価|オペアンプ設計|PVTばらつき|CMOS Operational amplifier|LSI Measurement|Design for operational amplifier|PVT variation
要約(日本語): 本発表では試作したLSIのRFAを用いた評価をインターンシップにて行った際の、シミュレーション結果と評価結果との間の差異に関する考察について論じる。主な差異はGB積が挙げられ、この要因として設計段階での課題が判明した。加えてインターンシップ中の議論にて様々な改善点および研究と製品との違いが明確となった。詳細については発表を参照されたい。
要約(英語): In this presentation, we will discuss the difference between the simulation results and the evaluation results of the prototype LSIs evaluated using RFA at the internship. The main difference is the GB product. The cause of this difference was found to be an issue at the design stage. In addition, discussions during the internship clarified various points for improvement and differences between research and products.
本誌掲載ページ: 97-100 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,216 Kバイト
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