反応性ガスとO2-GCIB照射によるNiパターンのエッチング

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD22051

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2022/12/24

タイトル(英語): Etching of Ni patterns by reactive gas and O2-GCIB irradiation

著者名: 作田 昂大(兵庫県立大学大学院工学研究科),竹内 雅耶(兵庫県立大学大学院工学研究科),豊田 紀章(兵庫県立大学大学院工学研究科)

著者名(英語): Kohdai Sakuta(University of Hyogo ),Masaya Takeuchi(University of Hyogo ),Noriaki Toyoda(University of Hyogo )

キーワード: ガスクラスターイオンビーム|Ｎｉパターン|エッチング|ＸＰＳ

要約(日本語): EUVリソグラフィ用マスクの新たな金属吸収体材料として期待されているNiおよびNiAl薄膜に対し，有機反応性ガスの吸着とガスクラスターイオンビームによる反応促進を用いてエッチングを行った。In-situ XPSによる表面状態評価から、酸化膜上に吸着した反応性ガスがGCIBによって反応・除去されることが分かった。さらに，Ni微細パターンへのGCIB照射を行いNiパターンの異方性エッチングの可能性を示した。

要約(英語): Etching of Ni and NiAl thin films, which are expected to be new metal absorber materials for EUV lithography masks, was performed using adsorption of organic reactive gases and reaction acceleration by gas-cluster ion beams. From XPS analysis, it was found that adsorbed reactive molecules on the oxide film reacted and removed by GCIB. Furthermore, GCIB irradiation on Ni patterns showed the possibility of anisotropic etching of Ni patterns.

本誌: 2022年12月27日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 27-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,625 Kバイト