SOI構造を有する多端子MOSFET素子の動作解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT23009

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2023/01/23

タイトル(英語): An Analysis of the Multi-Output MOSFET with the SOI Structure

著者名: 原田 知親(山形大学)

著者名(英語): Tomochika Harada(Yamagata University)

キーワード: 多端子ＭＯＳＦＥＴ|ＳＯＩ構造|Multi-Output MOSFET|SOI structure

要約(日本語): 本研究では、以前ミニマルファブで試作したSOI構造を有する多端子MOSFETについて、その測定データから分析し、詳しい動作について解析を試みる。

要約(英語): In this paper, I analyze the measurement data of the SOI structure multi-output MOSFET prototyped in the minimal fab, and try to perform a detailed operation analysis.

本誌: 2023年1月26日-2023年1月27日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 41-44 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,744 Kバイト