直列接続したMOSFETのdv/dtと電圧分担の基礎特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC23003,MD23003

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2023/01/23

タイトル(英語): Fundamental characteristics of dv/dt and voltage sharing across series-connected power MOSFETs

著者名: 馬野 叶悟(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)

著者名(英語): Kyogo Umano(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 直列接続|ＭＯＳＦＥＴ|電圧不均衡|寄生容量|非線形|負荷変動|Series connection|MOSFET|Voltage imblance|Parasitic capacitance|Non-linear|Load fluctuation

要約(日本語): 本論文では，MOSFETの寄生容量の電圧依存性を考慮した直列接続時の電圧分担特性を検討する。MOSFETがターンオフする際のミラー効果を考慮してゲート電圧の時間変化を検討し，負荷電流に対するdv/dtを理論的に導出する。また，dv/dt等の差に起因する素子間に生じる電圧分担の偏差を実験により確認し，変換器の動作状態と電圧分担の偏差の関係を明らかにする。さらに，寄生容量や伝達特性等の非線形性が電圧分担の偏差に与える影響を考察する。

要約(英語): In this paper, the voltage-sharing characteristics of series-connected MOSFETs are investigated, taking into account the voltage dependence of the parasitic capacitance of the MOSFETs, and the time variation of the gate voltage is examined in consideration of the Miller effect when the MOSFETs turn off. The deviation of voltage sharing between devices caused by the difference in dv/dt, etc., is experimentally confirmed, and the relationship between the operating state of the transducer and the deviation of voltage sharing is clarified. Furthermore, the effects of nonlinearities such as parasitic capacitance and transfer characteristics on the deviation of voltage sharing are discussed.

本誌: 2023年1月26日-2023年1月27日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-1

本誌掲載ページ: 7-11 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,457 Kバイト