直流電圧565V SiC-MOSFETハーフブリッジインバータの5MHz駆動

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE23074,PSE23080,SPC23130

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/03/03

タイトル(英語): 565V DC Voltage 5MHz Drive of SiC-MOSFET Half-Bridge Inverter

著者名: 勝木 俊介(北海道大学),折川 幸司(北海道大学),小笠原 悟司(北海道大学)

著者名(英語): Shunsuke Katsuki(Hokkaido University),Koji Orikawa(Hokkaido University),Satoshi Ogasawara(Hokkaido University)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|直流電圧５６５Ｖ|５　ＭＨｚ|ハーフブリッジインバータ|ゲートドライバ|放熱性|SiC MOSFET|565 V DC Voltage|5 MHz|Half-bridge Inverter|Gate driver|Heat dissipation property

要約(日本語): SiCの高速スイッチングによる小型で高出力な電力変換器の研究開発が進められ、高速スイッチング駆動には大きいゲート電流を供給する放熱性能が高いゲートドライバが必要である。本論文では、ヒートシンクを一体化させたゲートドライバを用いたSiC MOSFETのハーフブリッジインバータを提案する。最後にスイッチング周波数5 MHz、直流電圧565 Vで負荷試験を行い、連続駆動を確認した。

要約(英語): High-speed switching drive of SiC requires a gate driver with high heat dissipation performance to supply large gate current. We propose a half-bridge inverter using a gate driver with an integrated heat sink. Continuous drive was confirmed by load testing at a switching frequency of 5 MHz and a DC voltage of 565 V.

本誌: 2023年3月6日-2023年3月7日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-4

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,084 Kバイト