回路設計者によるパワーMOSFETモデリングメソドロジ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE23077,PSE23083,SPC23133

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/03/03

タイトル(英語): Power MOSFET Modeling Methodology by Circuit Designers

著者名: 西谷 洋太(奈良先端科学技術大学院大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Yota Nishitani(Nara Institute of Science and Technology),Michihiro Shintani(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|デバイスモデリング|ＳＰＩＣＥシミュレーション|Power MOSFET|Device modeling|SPICE simulation

要約(日本語): デバイスメーカが提供するデバイスモデルを用いて回路シミュレーションが行われるが，デバイス毎の特性ばらつき等により必ずしも合うわけではない．本稿では，回路設計者の立場で回路シミュレーション解析を可能にすることを目的に，半導体デバイスアナライザを用いることなく回路シミュレーションモデルを開発するモデリングメソドロジを提案する．

要約(英語): While circuit simulation is conducted using device models provided by device manufacturers, the models do not necessarily match, e.g., due to variations in the characteristics of each device. This paper proposes a modeling methodology to develop circuit simulation models without using semiconductor device analyzer to enable circuit simulation analysis by circuit designers.

本誌: 2023年3月6日-2023年3月7日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-4

本誌掲載ページ: 43-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,828 Kバイト