モジュラー型ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの並列駆動における電流平衡化に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EMC23009,SPC23153

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁環境/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/05/09

タイトル(英語): A Study on Current Balancing in Parallel-connected SiC MOSFETs using Modular-multilevel Digital Active Gate Driver

著者名: 高山 創(京都大学),福永 崇平(大阪大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Hajime Takayama(Kyoto University),Shuhei Fukunaga(Osaka University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ディジタルアクティブゲートドライブ|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|並列動作|しきい値電圧|digital active gate drive|SiC MOSFET|parallel operation|threshold voltage

要約(日本語): 本検討では，モジュラー構造のディジタルアクティブゲートドライバを提案する．バイナリ重みづけされた電圧値のサブモジュールを複数段直列に接続した構成により，ディジタル・アナログ変換に似た動作でSiC MOSEFTのゲート電圧波形を指定する．素子の特性やレイアウトの差異を考慮したゲート電圧波形を設定することにより，SiC MOSFETの並列駆動における課題である過渡および定常状態での電流分担の不均衡を改善できることを示す．

要約(英語): This work proposes a modular-type digital active gate driver. It can shape the gate voltage waveform of SiC MOSFETs through digital-to-analog conversion using submodules with binary-weighted voltage. The transient and steady-state currents of parallel-connected SiC MOSFETs are balanced by setting individual gate voltage waveforms reflecting the variations in device characteristics and layout.

本誌: 2023年5月12日電磁環境/半導体電力変換合同研究会

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,195 Kバイト