高電圧大電力用10kV級SiC-GTOサイリスタの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: FTE23004,PE23096,HV23044

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 新エネルギ－・環境/【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2023/06/05

タイトル(英語): 10 kV class SiC-GTO thyristor for high-voltage and high-power application

著者名: 中山 浩二(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),加藤 智久(産業技術総合研究所),児島 一聡(産業技術総合研究所),染谷 満(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Koji Nakayama(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Tomohisa Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Kazutoshi Kojima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Mitsuru Sometani(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Yoshiyuki Yonezawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: 大電力|ＳｉＣ|ＧＴＯ|サイリスタ|高電圧|high-power|SiC|GTO|thyristor|high-voltage

要約(日本語): 高電圧大電力用途として期待される超高耐電圧SiC-GTOサイリスタを開発した。開発したSiC-GTOサイリスタは、11.8kVの耐電圧値と、8.5～9V(36A/cm2)のオン電圧値を示した。さらに、5kV、3Aでの誘導負荷ダブルパス試験を行い、良好なスイッチング特性が得られた。スイッチング時間は、ターンオンが274ns、ターンオフは404nsとなった。

要約(英語): We developed ultra-high-voltage SiC-GTO thyristors for high-voltage and high-power application. The developed SiC-GTO thyristors were demonstrated a breakdown voltage of 11.8kV and on-voltage of 8.5 to 9V (36A/cm2). Furthermore, inductive load double-pass tests were conducted and turn-on and turn-off at 5kV and 3A were successfully achieved.

本誌: 2023年6月8日-2023年6月9日新エネルギ－・環境/電力技術/高電圧合同研究会

本誌掲載ページ: 21-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,327 Kバイト