分子性 O2 キャリアガスを導入したタンデム変調熱プラズマの 熱流動場数値解析と Si/SiOx ナノ材料生成試験
分子性 O2 キャリアガスを導入したタンデム変調熱プラズマの 熱流動場数値解析と Si/SiOx ナノ材料生成試験
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EPP23032
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会
発行日: 2023/06/05
タイトル(英語): Numerical Thermofluid Flow Field Analysis using Tandem-Type Modulated Induction Thermal Plasmas with Molecular O2 Carrier Gas and Si/SiOx Nanomaterial Synthesis
著者名: 岡野 里桜(金沢大学),石之腰 昂弥(金沢大学),田中 康規(金沢大学),中野 裕介(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),末安 志織(日清製粉グループ本社),渡邉 周(日清製粉グループ本社),中村 圭太郎(日清製粉グループ本社)
著者名(英語): Rio Okano(Kanazawa University),Koya Ishinokoshi(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yusuke Nakano(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Shiori Sueyasu(Nisshin Seifun Group Inc.),Syu Watanabe(Nisshin Seifun Group Inc.),Keitaro Nakamura(Nisshin Seifun Group Inc.)
キーワード: タンデム型変調誘導熱プラズマ|電磁熱流体解析|Si/SiOxナノ材料|Tandem Type Modulated Induction Thermal Plasma|Numerical Thermofluid Simulation|Si/SiOx nanomaterials
要約(日本語): タンデム型パルス変調誘導熱プラズマ(Tandem-PMITP)において,ArキャリアガスにO2を導入した場合の温度場を数値解析から検討するとともに,Tandem-PMITPに原料時間制御供給(TCFF法)を用いたSi/SiOxナノ材料生成を行った.数値計算から,O_2導入時に変調熱プラズマ下流のチャンバ内温度がより急低下することがわかった.実験からO_2導入によりSi/SiOxナノ材料が生成され,さらにナノワイヤ化することが示唆された.
要約(英語): The influence of O2 introduction in Ar carrier gas was studied on silicon and silicon oxide (Si/SiOx) nanomaterial synthesis using tandem pulse-modulated induction thermal plasmas (Tandem-PMITP) with time-controlled feeding of feedstock (TCFF) method by numerical simulation and experimental approach. The numerical simulation showed the higher temperature cooling rate in the reaction chamber by O2 injection. In addition, experiments also showed that Si/SiOx nanoparticles and nanowires were found to be synthesized in case of O2 inclusion._x000D_
本誌: 2023年6月8日-2023年6月10日放電・プラズマ・パルスパワー研究会-2
本誌掲載ページ: 35-40 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 2,487 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
