SiC-MOSFETを用いた誘導エネルギー蓄積型パルスパワー電源の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP23048

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会

発行日: 2023/06/05

タイトル(英語): Development of inductive energy storage pulsed power supply using SiC semiconductor devices

著者名: 藤倉 匠(岩手大学),鈴木 勇斗(岩手大学),山口 陸(岩手大学),高橋 克幸(岩手大学),高木 浩一(岩手大学)

著者名(英語): Sho Fujikura(Iwate University),Yuto Suzuki(Iwate University),Riku Yamaguchi(Iwate University),Katsuyuki Takahashi(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University)

要約(日本語): 　本研究では,耐圧1.2 kV級 SiCパワーMOSFETに着目し，誘導性エネルギー蓄積方式 (IES) 電源の開発を行った。昇圧用トランスの巻き数比を5~20と変化させ, それぞれの電気的特性を評価した。巻き数比が多い方が出力電圧，パルス幅が大きく, 出力電流が小さくなった。また各負荷抵抗に対するエネルギー転送効率を算出し，それぞれのエネルギー最大転送効率は約50%であった。

要約(英語): We have developed an inductive energy storage power supply using voltage resistant 1.2kV class SiC power MOSFETs. The number of turns of the transformer was changed, and evaluated the electrical characteristics of each transformer. The output voltage and pulse width were larger when the turn ratio was increased. The maximum energy transfer efficiency for each was about 50%.

本誌: 2023年6月8日-2023年6月10日放電・プラズマ・パルスパワー研究会-3

本誌掲載ページ: 15-19 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,486 Kバイト