静電アクチュエータのための狭ギャップ構造形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS23028

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2023/06/27

タイトル(英語): Narrow gap structure formation for electrostatic actuators

著者名: 片山 徹哉(豊田工業大学),斉藤 誠法(アイセロ),佐々木 実(豊田工業大学)

著者名(英語): Tetsuya Katayama(Toyota Technological Institute),Shigenori Saito(AICELLO),Minoru Sasaki(Toyota Technological Institute)

キーワード: 超密着露光|ポリビニルアルコール|狭ギャップデバイス|静電アクチュエータ|パッシェンの法則|Super contact exposure| polyvinyl alcohol(PVA)|Narrow gap device|Electrostatic actuator|Paschen's law

要約(日本語): コンタクト露光では2-3μm幅のパターンを安定に得ることは難しい．本研究では，フォトマスク上にPVAとレジストを成膜して露光することで潜像を形成し，剥がしたレジスト膜をSOI基板に貼付けて実現する超密着露光により，1-1.5μm幅の固定電極構造と静電アクチュエータを製作した．電極間に電圧印加し，ギャップ幅に対する放電特性を測定した．また，狭ギャップ静電アクチュエータが駆動することを確認した．

要約(英語): 2-3μm wide patterning is difficult using the contact exposure. This study is a new patterning method. On the photomask, PVA and photoresist is spin-coated. The exposure is from the glass side of the mask. The peeled resist film is pasted on SOI substrate. The electrostatic actuator having 1-1.5μm wide gap is realized.

本誌: 2023年6月30日-2023年7月1日マイクロマシン・センサシステム研究会

本誌掲載ページ: 33-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,272 Kバイト