ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ開発の道のり

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS23042,CHS23026,BMS23019

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム/【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ/【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム合同研究会

発行日: 2023/06/27

タイトル(英語): Road to Development of Piezoresistive Semiconductor Pressure Sensor

著者名: 杉山 進(立命館大学)

著者名(英語): Susumu Sugiyama(Ritsumeikan University)

キーワード: ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ|ひずみゲージ|マイクロマシニング|拡散リード|受圧ダイアフラム|集積化センサ|piezoresistive semiconductor pressure sensor|strain gage|micromachining|diffused lead|pressure diaphragm|integrated sensor

要約(日本語): ピエゾ抵抗式半導体圧力センサの開発の道のりを遡って検証します。現在では標準的技術として広く使われていますが、過去には60年の歴史があります。半導体・IC技術の革新とMEMS・微細加工の進展が、半導体圧力センサの技術進歩の原動力となっています。本稿では、今日の自動車をはじめ、さまざまな環境計測に欠かせない圧力センサの基礎となるピエゾ抵抗式半導体圧力センサの技術革新の軌跡を探ります。

要約(英語): Road to development of the piezoresistive semiconductor pressure sensor is verified retroactively. There was a sixty years history of the past. In this paper, it is explored the path of technological innovation in semiconductor pressure sensors, which are the basis of pressure sensors that are indispensable for automobiles today.

本誌: 2023年6月30日-2023年7月1日マイクロマシン・センサシステム/ケミカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,041 Kバイト