金属および誘電体ナノ構造を用いた半導体量子構造の高効率発光
金属および誘電体ナノ構造を用いた半導体量子構造の高効率発光
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: OQD23020
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会
発行日: 2023/07/13
タイトル(英語): Highly Efficient Emissions from Semiconductor Quantum Structures using Metallic and Dielectric Nanostructures
著者名: 岡本 晃一(大阪公立大学)
著者名(英語): Koichi Okamoto(Osaka Metropolitan University)
キーワード: プラズモニクス|半導体量子構造|発光効率|ナノ粒子|ナノ薄膜|発光素子|Plasmonics|Semiconductor Quantum Structures|emission efficiency|Nanoparticles|Nanofilm|LIght-Emitting Devices
要約(日本語): プラズモニクスによってInGaN/GaN系半導体の青色発光効率を大幅に向上させることができる。しかし、550nm付近の緑色領域では、プラズモニクスなどの手法で高い効率を実現することは依然として困難である。半導体LEDにおいては、緑色と黄色の領域で「グリーンギャップ」と呼ばれる効率低下を解消することが急務である。そこで、この問題を解決し、高効率な緑色発光を得るために、Agナノ粒子と誘電体ナノフィルム構造を用いた新しい方法を提案する。
要約(英語): Plasmonics enable significant improvements in the blue emission efficiencies of InGaN/GaN-based semiconductors. However, achieving high efficiency in the green wavelength range of ~550 nm remains challenging using plasmonics and other methods. Semiconductor LEDs experience a systematic drop in efficiency in the green/yellow region, commonly known as the "green gap," which needs to be addressed. In this study, I propose a novel approach utilizing Ag nanoparticles and dielectric nanofilm structures to overcome this issue and achieve highly efficient green light emission.
本誌掲載ページ: 25-29 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,020 Kバイト
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