Epitaxial lateral overgrowth（ELO）技術を用いた超低欠陥micro-LEDの作製方法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD23026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2023/07/25

タイトル(英語): Fabrication method of a low defect density micro-LED by epitaxial lateral overgrowth technique

著者名: 神川 剛(京セラ)

著者名(英語): Takeshi Kamikawa(Kyocera corporation)

キーワード: 窒化物半導体|マイクロＬＥＤ|横方向成長|低欠陥|結晶性|GaN|micro-LED|epitaxial lateral overgrowth|low dislocation density|crystal quality

要約(日本語): 我々は、異種基板を用いて、横方向成膜技術（Epitaxial lateral overgrowth technique: ELO法）を進化させることで、独自のテンプレート基板（ELO GaN on Silicon substrate (EGOS基板)）を作製した。次に、本EGOS基板を用いたmicro-LEDのプロセス、剥離方法を開発することで、超低欠陥のmicro-LEDを作製した。

要約(英語): Low dislocation density micro-LED was fabricated by the new original Si based substrate. The substrate was formed via epitaxial lateral overgrowth technique. The substrate has a low dislocation density area > 20 μm on the silicon substrate. Moreover, we also developed a removal method which can easily remove micro-LED on the original substrate from the substrate.

本誌: 2023年7月28日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 5-9 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,179 Kバイト