水中でのナノ秒パルスレーザ照射によるシリコン太陽電池の 反射率低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: LAV23007

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日: 2023/08/26

タイトル(英語): Reflectivity reduction of silicon solar cells irradiated by nanosecond pulsed laser in water

著者名: 田口 凌悟(東海大学),橋田 昌樹(東海大学),岩森 暁(東海大学),草場 光博(大阪産業大学),坂上 仁志(核融合科学研究所)

著者名(英語): Ryogo Taguchi(Tokai University),Masaki Hashida(Tokai University),Satoru Iwamori(Tokai University),Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University),Hitoshi Sakagami(National Institute for Fusion Science)

キーワード: ナノドット構造|単結晶シリコン太陽電池|融解閾値|水中照射|nanodot structure|single-crystal silicon solar cell|melting threshold|underwater irradiation

要約(日本語): 我々は、50～600パルスで0.4 J/cm2～0.8 J/cm2のレーザーフルエンスで、水中の単結晶シリコン太陽電池上にレーザー波長よりもはるかに小さいナノドット構造を生成することを実証した。水中において溶融閾値（Fth=0.55 J/cm2）以下のレーザーフルエンス（F=0.40 J/cm2）を400パルスで照射することにより、溶融を伴わずに大きさ約50～100nmのドット構造が表面に形成され、500 nmでの反射率低減においてΔR= 3.75 %を得ることに成功した。

要約(英語): We have demonstrated to produce nanodot structures much smaller than the laser wavelength on a single-crystal silicon solar cells in water for the laser fluence of 0.4 J/cm2 -0.8 J/cm2 with 50-600 pulses. By irradiating the laser fluence (F=0.40 J/cm2) below the melting threshold (Fth=0.55 J/cm2) in water at 400 pulses, dot structures of about 50-100 nm in size without melting were formed on surface. Crystallinity and elemental composition of laser irradiated silicon solar cells in water were similar to non-irradiated one. The nanodot structures produced on silicon solar cells at the laser fluence of 0.40 J/cm2 with 400 pulses were successfully obtained ?R= 3.75 % at 500 nm in reflectivity reduction.

本誌: 2023年8月29日光応用・視覚研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 806 Kバイト