紫外レーザ照射によるSi太陽電池表面の高密度ナノドット構造形成
紫外レーザ照射によるSi太陽電池表面の高密度ナノドット構造形成
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: LAV23008
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会
発行日: 2023/08/26
タイトル(英語): Fabrication of high dense nano dot structures on si solar cell surface by irradiation of ultla violet laser pulses
著者名: 平井 健太(大阪産業大学),田中 朋世(大阪産業大学),橋田 昌樹(東海大学),坂上 仁志(核融合科学研究所),草場 光博(大阪産業大学)
著者名(英語): Kenta Hirai(Osaka Sangyo University),Tomoyo Tanaka(Osaka Sangyo University),Masaki Hashida(Tokai University),Hitoshi Sakagami(National Institute for Fusion Science ),Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University )
キーワード: シリコン太陽電池|融解閾値|高密度ナノドット構造|エキシマレーザ|silicon solar cells|melting threshold|high dense nano dot structure|excimer laser
要約(日本語): 本実験では、KrFエキシマレーザ(λ= 248nm, τ = 20ns)照射されたシリコン太陽電池の融解閾値を調べた。融解閾値以下のKrFエキシマレーザの照射で高密度のナノドット構造の形成に成功した。
要約(英語): The melting threshold of silicon solar cells irradiated with KrF excimer laser (λ= 248nm, τ = 20ns) was investigated.We found that the high dense nano dot structure was sucessfully formed with irradiation of KrF excimer laser below melting threshold fluence.
本誌掲載ページ: 7-10 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 972 Kバイト
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