直流電圧565V 容量1kW SiC-MOSFETハーフブリッジインバータの5MHz駆動

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC23186,MD23083

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2023/09/18

タイトル(英語): 565V DC Voltage 1kW Capacity 5MHz Drive of SiC-MOSFET Half-Bridge Inverter

著者名: 浅野 颯太(北海道大学),折川 幸司(北海道大学),小笠原 悟司(名古屋大学)

著者名(英語): Sota Asano( Hokkaido University),Koji Orikawa( Hokkaido University),Satoshi Ogasawara(Nagoya University)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|直流電圧　５６５　Ｖ|５ＭＨｚ|ハーフブリ　ッジインバータ|容量１ｋＷ|スナバ回路|SiC-MOSFET|565 V DC Voltage|5MHz|Half-bridge Inverter|Capacity 1kW|Snubber circuit

要約(日本語): SiC-MOSFETによる小型・高出力な電力変換器の研究開発が進められている。先行研究では、ゲートドライバの放熱性向上によりソフトスイッチングでのスイッチング周波数5MHz、直流電圧565Vでの100W負荷試験において連続運転に成功した。本論文ではソフトスイッチング下で1kW負荷試験での連続運転を達成したので報告する。また、DC リンクコンデンサ-インバータ間の配線インダクタンスとスナバコンデンサの共振を抑制するダンピング抵抗を議論する。

要約(英語): This paper reports on the continuous operation of a half-bridge inverter under soft-switching operation operated at the switching frequency of 5 MHz and the output power of 1 kW by suppressing the increase of an on-resistance of SiC-MOSFETs. Moreover, a damping resister connected across the DC-link part of the half-bridge inverter is also discussed.

本誌: 2023年9月21日-2023年9月22日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会

本誌掲載ページ: 23-28 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,221 Kバイト