枚葉式半導体成膜装置の温度制御系に対する反復学習制御の適用による外乱抑圧

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MEC23008

グループ名: 【D】産業応用部門 メカトロニクス制御研究会

発行日: 2023/09/22

タイトル(英語): Disturbance Suppression by Applying Iterative Learning Control to Temperature Control System of Single Wafer Deposition System

著者名: 平田 輝(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ),山口 達也(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ),大西 亘(東京大学)

著者名(英語): Akira Hirata(Tokyo Electron Technology Solutions),Tatsuya Yamaguchi(Tokyo Electron Technology Solutions),Wataru Ohnishi(The University of Tokyo)

キーワード: 反復学習制御|システム同定|周波数応答データ|温度制御|半導体製造装置|Iterative learning control|System identification|Frequency response data|Temperature control|Semiconductor manufacturing equipment

要約(日本語): 枚葉式半導体成膜装置において膜の厚さに影響を与える主要な要因の一つは，ウェーハが置かれるステージの温度である。ウェーハがチャンバ内に入っているとき，ステージ温度は一定値に制御されることが多い。室温のウェーハがステージに置かれることでステージ温度が変動し，生産性が低下する。本研究では反復学習制御を適用して実験をおこない，温度変動の最大振幅を420 ℃では88.6 %，250 ℃では90.9 %抑制することに成功した。

要約(英語): In a single wafer deposition system, one of the main factors effecting film thickness is the temperature of a stage on which a wafer is placed. The set value of the stage temperature is often held constant while a wafer is in the chamber. Since the temperature is controlled only by a feedback controller in the existing single wafer deposition system, the stage temperature fluctuates greatly due to a disturbance occurred by loading a room temperature wafer. If the temperature converges quickly by suppressing the temperature disturbance, the productivity of the deposition process will be improved. In this study, focusing on the reproducibility of the disturbance, iterative learning control was applied to the stage temperature control system. The proposed control system suppressed the maximum amplitude of the temperature fluctuation by 88.6 % at the set temperature of 420 degrees and by 90.9 % at the set temperature of 250 degrees.

本誌: 2023年9月25日メカトロニクス制御研究会

本誌掲載ページ: 47-52 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 950 Kバイト