新規HVMOS構造によるBootstrap diode(BSD)機能内蔵600V HVIC

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23030,SPC23213

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): A 600V HVIC with integrated bootstrap diode function by a new emulating HVMOS

著者名: 川崎 裕二(三菱電機),今坂 俊博(三菱電機),渋田 侑人(メルコセミコンダクタエンジニアリング),佐野 昇平(メルコセミコンダクタエンジニアリング),羽生 洋(三菱電機),橋本 修男(メルコセミコンダクタエンジニアリング),羽野 光隆(三菱電機),吉野 学(三菱電機)

著者名(英語): Yuji Kawasaki(Mitsubishi Electric Corporation),Toshihiro Imasaka(Mitsubishi Electric Corporation),Yuto Shibuta(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Shohei Sano(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Yo Habu(Mitsubishi Electric Corporation),Nobuo Hashimoto(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Mitsutaka Hano(Mitsubishi Electric Corporation),Manabu Yoshino(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＨＶＩＣ|ＨＶＭＯＳ|ブートストラップダイオード|ドライバーＩＣ|High Voltage IC|High Voltage MOS|Bootstrap Diode (BSD)|Driver IC

要約(日本語): 600V HVICにBSD機能を内蔵するための新規HVMOS構造と，そのゲート制御回路を提案する。新規HVMOS構造は縦方向の寄生PNP動作が回避でき、また主耐圧の低下なしにドレインドリフト抵抗の低減が可能である。新規ゲート制御回路では，内部昇圧回路でHVMOSのゲートを駆動し，周波数に関係なく充電動作が可能である。この構造，回路によって安定した充電動作とVS負サージ耐性の向上を実現した。

要約(英語): We propose a new high voltage MOS (HVMOS) structure for integrating a bootstrap diode function into a 600V HVIC. The new 600V HVIC realizes a sufficient charging capacity even at a low frequency operation and a high tolerance of a VS negative surge.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,120 Kバイト