SJMOSとFPMOSにおける耐圧の温度依存性差の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23031,SPC23214

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Analysis on the difference of the temeperature dependece of breakdown voltage between SJMOS and FPMOS

著者名: 酒井 敦(ルネサスエレクトロニクス),永久 克己(ルネサスエレクトロニクス),安孫子 雄哉(ルネサスエレクトロニクス),佃 栄次(ルネサスエレクトロニクス),緒方 完(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Atsushi Sakai(Renesas Electronics Corporation),Katsumi Eikyu(Renesas Electronics Corporation),Yuya Abiko(Renesas Electronics Corporation),Eiji Tsukuda(Renesas Electronics Corporation),Tamotsu Ogata(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: 耐圧|温度依存性|空乏層|電界分布|Superjunction MOS|Field Plate MOS|breakdown voltage|temperature dependence|depletion layer|electric field distribution

要約(日本語): 100V級SJ(Superjunction)MOSとFP(Field Plate)MOSの耐圧を比較した際に，その温度依存性が異なるというSim.結果が得られた．_x000D_ この差の要因は空乏層内の電界分布が異なることにある．すなわち，SJMOSでは空乏層内電界が一様であり，温度に応じてアバランシェブレークダウンを引き起こす臨界電界が変わる影響を空乏層内全体で受けるのに対し，FPMOSではゲート底とFP底の2箇所に電界ピークが生じるが，臨界電界が変わった影響を受けるのはFP底のみとなるためである．

要約(英語): The analysis on the difference of the temperature dependence of breakdown voltage between SJMOS (Superjunction MOS) and FPMOS (Field Plate MOS) is presented._x000D_ TCAD analysis clarify that this difference is caused by the electric field distribution difference in the depletion layer.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 31-33 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 995 Kバイト