オーバードライブSiC MOSFETのスイッチング特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23033,SPC23216

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Evaluation of Switching Characteristics of SiC MOSFETs under Over drive Conditions

著者名: 寒河江 貴英(東京都立大学),林 真一郎(千葉工業大学),和田 圭二(東京都立大学)

著者名(英語): Takahide Sagae(Tokyo Metropolitan University),Shin-Ichiro Hayashi(Chiba Institute of Technology),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|ゲート電圧|スイッチング損失|SiC MOSFET|Gate voltage|Switching loss

要約(日本語): 本稿では、ゲート電圧を定格電圧以上に設定する手法(オーバードライブ)を検討する。まず，理論式からゲート電圧とMOSFETのスイッチング損失およびスイッチング時間の相関を導出する。次に，1,200 V耐圧のSiC MOSFETを用いてオーバードライブ条件下でダブルパルス試験を行った。実験の結果、ゲート電圧のオーバードライブによりスイッチング損失を大幅に抑制し、特にゲートオフ電圧は電力変換回路の高性能化に大きく寄与することが示された。

要約(英語): This paper investigates the practice of Overdrive, where gate voltage exceeds rated values, to enhance SiC MOSFET efficiency. The study theoretically derives correlations between gate voltage, switching loss, and time. Experimental tests on 1,200 V-rated SiC MOSFETs under Overdrive conditions confirm reduced switching losses and significantly improved MOSFET switching performance, especially at gate off voltage.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 47-52 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,240 Kバイト