トリガーp-nダイオードの導入によるSBD内蔵SiC MOSFETのサージ耐量向上の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23034,SPC23217

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Experimental study on improvement of surge current capability of SBD-embedded SiC MOSFET by introducing trigger p-n diode

著者名: 大橋 輝之(東芝),河野 洋志(東芝デバイス＆ストレージ),朝羽 俊介(東芝デバイス＆ストレージ),尾形 昂洋(東芝),飯島 良介(東芝)

著者名(英語): Teruyuki Ohashi(Toshiba),Hiroshi Kono(Toshiba Electronic Devices & Storage),Shunsuke Asaba(Toshiba Electronic Devices & Storage),Takahiro Ogata(Toshiba),Ryosuke Iijima(Toshiba)

キーワード: ＳＢＤ内蔵ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|サージ耐量|SBD-embedded SiC MOSFET|Surge current

要約(日本語): SBD内蔵SiC MOSFETにおいて、サージ電流耐量を向上する新規デバイス構造を検討した。デバイス内部に伝導度変調を誘起するトリガーp-nダイオードを設けることで、サージ電流印加時に低抵抗で大電流を流すことが可能となり、発熱が抑制されてサージ耐量を向上できると考えた。トリガーp-nダイオードをチップ全体に分散させることで、局所的な発熱を抑制しつつ伝導度変調がチップ全体に誘起され、サージ電流耐量を向上することに成功した。

要約(英語): A new device structure to improve surge current capability in SBD-embedded SiC MOSFETs was investigated. By introducing trigger p-n diodes that induce conductivity modulation, high current flowed with low resistance and heat generation was suppressed, resulting in an improvement in surge current capability.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 53-58 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,498 Kバイト