Ｓｉ－ＳＪＢＪＴ／ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴダーリントンスイッチ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23035,SPC23218

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Si-SJBJT/SiC-MOSFET Darlington switch

著者名: 涌井 翔真(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学)

著者名(英語): Shoma Wakui(University of Yamanashi),Koji Yano(University of Yamanashi)

キーワード: スーパージャンクション|ダーリントン|バイポーラトランジスタ|ＭＯＳＦＥＴ|炭化ケイ素|シリコン|Superjunction|Darlington|Bipolar transistor|MOSFET|SiC|Si

要約(日本語): メインスイッチであるSi-スーパージャンクションバイポーラトランジスタ（SJBJT)と駆動用SiC-MOSFETの600V級ダーリントンスイッチを提案した。同スイッチはSJBJTとSi-MOSFETの組み合わせに比べ、オン抵抗を低減できることが明らかになった。また提案スイッチにおけるSJBJTのベース端子への負電圧印加により，ターンオフ遅延時間の短縮に成功した。

要約(英語): We propose a 600-V class Darlington power switching device which consists of a Si-superjunction bipolar transistor (SJBJT) as a main switch and an SiC-MOSFET as a auxiliary transistor. It has been clear that the on-resistance of this Darlington switch is much smaller than that of a Darlington pair of the SJBJT and conventional Si-MOSFET. For the proposed Darlington switch, the delay time during the turn-off operation is successfully reduced by applying a negative voltage to the base terminal of the SJBJT.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 59-64 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,413 Kバイト