SiCフィン型トレンチMOSFETの提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23036,SPC23219

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Proposal of Vertical-channel Fin-SiC MOSFET

著者名: 清水 悠佳(日立製作所),須藤 建瑠(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),久本 大(日立製作所),島 明生(日立製作所),木下 昂洋(日立パワーデバイス),村田 龍紀(日立パワーデバイス),織田 哲男(日立パワーデバイス)

著者名(英語): Haruka Shimizu(Hitachi, Ltd.),Takeru Suto(Hitachi, Ltd.),Yuki Mori(Hitachi, Ltd.),Digh Hisamoto(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.),Koyo Kinoshita(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Tatsunori Murata(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Tetsuo Oda(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|フィン|トレンチ|オン抵抗|スケーリング

要約(日本語): 低いオン抵抗と低い酸化膜電界を両立できる構造として、フィン型のSiCトレンチMOSFETを試作、検証した。我々がこれまで提案してきたTED-MOSに比べオン抵抗を大幅に低減できるだけでなく、スイッチング損失も低減できることを確認した。また、さらなるパワーデバイス進化の指針として、パワーデバイスに適用可能なスケーリング則を提案する。

要約(英語): A fin-type SiC trench MOSFET was fabricated and verified as a structure that achieves both low on-resistance and low oxide film electric field. We have confirmed that not only can the on-resistance be greatly reduced compared to the TED-MOS, but also the switching loss can be reduced. We also propose a scaling law applicable to power devices as a guideline for further evolution of power devices.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 65-70 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,313 Kバイト