温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23037,SPC23220

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Study on Modeling of GaN Devices with Temperature Dependency

著者名: 井口 創介(東京工業大学),原田 茂樹(東京工業大学),浦壁 隆浩(東京工業大学),中嶋 純一(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),椋木 康滋(三菱電機)

著者名(英語): Sosuke Iguchi(Tokyo Institute of Technology),Shigeki Harada(Tokyo Institute of Technology),Takahiro Urakabe(Tokyo Institute of Technology),Junichi Nakashima(Mitsubishi electric corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi electric corp.),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi electric corp.)

キーワード: デバイスモデル|ＧａＮ－ＨＥＭＴ|ビヘイビアモデル|device modeling|GaN-HEMT|behavioral model

要約(日本語): 低炭素社会に向けパワーエレクトロニクス製品へのGaNやSiCの適用が加速している。電力変換装置を設計する際、実試作の前段階においてデバイスモデルを使用することが一般的になっており、重要度が増してきている。本論文では,東工大SiC-MOSFETのデバイスモデルの手法をベースに作成したGaN-HEMTの温度特性を考慮した順方向特性のモデルについて述べる。モデリング結果は実験結果と良い一致を示している。

要約(英語): Wide bad gap power devices such as SiC or GaN is used for power converters to realize a carbon-neutral society. Power device modeling for circuit simulation becomes more important to shorten the period of the power converter development. This paper describes a model of the forward　characteristic of GaN-HEMT with temperature dependency. Modeling results is good agreement with experimental results.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 71-76 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,241 Kバイト