SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23039,SPC23222

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Soft turn-off short-circuit protection method for SiC MOSFETs

著者名: 杜 赫(九州工業大学),Bayarsaikhan Yandagkhuu(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): He Du(Kyushu Institute of Technology),Yandagkhuu Bayarsaikhan(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|短絡保護|ソフトターンオフ|ロゴスキーコイル|SiC MOSFET|Short circuit|Soft turn-off|Rogowski coil

要約(日本語): ソフトターンオフによる短絡保護を実現するアクティブゲートクランプ回路を提案する。クランプコンデンサを用いたゲート電荷放電回路により、ドレイン電圧のオーバーシュートの低減、ピーク電流の低減、短絡時の過度なエネルギーの防止などの効果が得られる。

要約(英語): An active gate clamping circuit that offers soft turn-off short-circuit protection is presented. By using the clamp capacitor to discharge, the experimental results with soft turn-off show several advantages, including the reduction of overshooting in drain voltage, peak current, and the prevention of excessive energy during the short circuit.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 77-80 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,421 Kバイト