トレンチIGBTのダイナミックアバランシェ抑制設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23040,SPC23223

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Dynamic avalanche suppression design of trench IGBT

著者名: 郭 祺(九州大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学)

著者名(英語): Qi Guo(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University)

キーワード: ＩＧＢＴ|ダイナミックアバランシェ|ターンオフ|IGBT|dynamic avalanche|turn-off

要約(日本語): ダイナミックアバランシェ（DA）に対するIGBTの構造パラメータの影響を調べた結果について報告する。Carrier Stored層（CS層）を有する1200V系IGBTについてシミュレーションを用いて検討した。構造パラメータは、メサ幅、トレンチ底部p層有無である。狭いメサ幅によりCS層濃度の増加が可能になると共に、DAを抑制する。しかし、トレンチ底部p層を有する構造の方がDAの抑制効果は大きい。

要約(英語): This paper reports the effects of structural parameters on Dynamic Avalanche (DA) in IGBT. 1200V-class IGBTs with Carrier Stored (CS) layer were designed using TCAD simulation. Narrow mesa structure increased CS doping concentration and suppressed DA. However, p-layer covered trench bottom was more effective to suppress the DA.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 81-86 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,826 Kバイト