3300V スケーリング IGBT におけるダイナミックアバランシェの抑制によるターンオフ dV/dt 制御性の向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23042,SPC23225

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Improvement of Turn-off dV/dt Controllability by Suppressing Dynamic Avalanche in 3300V Scaled IGBTs

著者名: 周 翔(東京大学),福井 宗利(東京大学),竹内 潔(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),平本 俊郎(東京大学)

著者名(英語): Xiang Zhou(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Takuya Saraya(The University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(The University of Tokyo)

キーワード: ＩＧＢＴ|スケーリング|ＴＣＡＤ　シミュレーション|ダイナミックアバランシェ|スイッチング制御性|IGBT|scaling|TCAD simulation|dynamic avalanche|switching controllability

要約(日本語): 3300V系スケーリングIGBTにおける動的性能のスケーリング係数(k)依存性をシミュレーションにより調べた．新評価法を提案し，スケーリングIGBTのターンオフ dV/dt 制御性はダイナミック アバランシェ (DA) がより抑制されることにより向上することを明らかにした．これにより，スケーリングIGBTは低いオン抵抗と優れたスイッチング制御性のトレードオフ関係を打破できることを示した．

要約(英語): Dynamic performance has been compared among 3300V scaled IGBTs with scaling factor (k) from 1 to 10. Superior turn-off dV/dt controllability in scaled IGBTs has been demonstrated since dynamic avalanche is suppressed successfully. IGBT scaling method is proven to be able to break through the trade-off relationships in conventional IGBTs.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 93-98 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,155 Kバイト