デジタルゲートドライバを用いたIGBTスイッチング動作におけるゲート電圧振動発生メカニズムの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23043,SPC23226

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): The investigation on the mechanism of gate voltage oscillation by a digital gate control at IGBT switching operations

著者名: LOU ZAIQI(九州大学),Mamee Thatree(九州大学),畑 勝裕(東京大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学)

著者名(英語): ZAIQI LOU(Kyushu University),Thatree Mamee(Kyushu University),Katsuhiro Hata(The University of Tokyo),Makoto Takamiya(The University of Tokyo),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University)

キーワード: ＩＧＢＴモジュール|デジタルドライバ|ゲート振動|デバイス寄生容量|IGBT module|digital gate driver|gate oscillation|device capacitance

要約(日本語): デジタルゲートドライバを用いたダブルパルス試験を3種類のIGBTモジュールに対して行った。IGBT内の寄生キャパシタンスがゲート電圧の振動に与える影響を示すと共に、LTspiceを用いて回路シミュレーションを用いて、ゲート電圧の振動がゲートインダクタンスと寄生キャパシタンスの依存性を示す。これらの結果を基に、ゲート電圧の振動のメカニズムについて議論する。

要約(英語): Double pulse switching tests employing a digital gate driver were implemented for three types of IGBT modules. The influence of device capacitance on gate voltage oscillation is presented. The circuit simulation results by LTspice shows the dependence of gate voltage oscillation on gate inductance and device capacitance. From these results, the mechanism of gate voltage oscillation is discussed.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 99-104 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,501 Kバイト