離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23045,SPC23228

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Separate Bottom P layer CSTBTTM for Approaching Turn-off Switching Loss Reduction Limit

著者名: 小西 和也(三菱電機),新田 哲也(三菱電機),玉城 朋宏(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機)

著者名(英語): Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric),Tetsuya Nitta(Mitsubishi Electric),Tomohiro Tamaki(Mitsubishi Electric),Shinya Soneda(Mitsubishi Electric)

キーワード: ダイナミックアバランシェ|ターンオフ損失|IGBT|CSTBT|Dynamic avalanche|Turn-off switching loss

要約(日本語): ダイナミックアバランシェとターンオフ損失(Eoff)はトレードオフの関係にある。本研究では離間ボトムP層CSTBTTM構造を提案し、TCADシミュレーションによりEoff低減効果を検証した。新規構造によりトレンチ底部の電界を緩和でき、高速スイッチングが可能となった。その結果、従来構造と同じオン電圧条件でEoffを20%低減することに成功した。

要約(英語): We propose a new separate-bottom P layer CSTBTTM and demonstrate its impact on Eoff reduction by TCAD simulations. This structure relaxes the electric field at trench bottom and enables faster dI/dt and dV/dt. Therefore, our proposed structure successfully reduces the Eoff by 20% at the same condition of VCE(sat) as the conventional structure, approaching the Eoff limit.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 1-4 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,665 Kバイト