埋め込み電極構造によるターンオン損失の低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23046,SPC23229

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Turn-on Loss Reduction by Buried-Electrode Structure

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office)

キーワード: ⅠＧＢＴ|ターンオン損失|スプリットゲート|埋め込み電極|IGBT|turn-on loss|split gate|buried eletrode

要約(日本語): これまでにEonを低減できる構造としてトレンチ内のダミー電極を上下に分割したスプリットゲート構造が提案されている。_x000D_ 本研究では、上下に分かれている電極の上電極が無い埋め込み電極構造について解析した。ＴＣＡＤシミュレーションの結果、dV/dtを揃えた時のＥｏｎがスプリットゲート構造よりもさらに低減した。Rgが小さいためdI/dtが高いことと変位電流によるゲート自己充電が生じていることがＥｏｎ低減に効いていることが分かった。

要約(英語): Previously the split-gate structure of which dummy electrode are separated vertically in trench is proposed to reduce turn-on loss (Eon)._x000D_ In this work, we studied buried-electrode structure of which upper part of separated electrode are not placed. TCAD simulation revealed that Eon at same dV/dt can be reduced more than the split-gate structure. It turns out that Eon is reduced because dI/dt is high due to low gate resistance and gate-self-charging effect by displacement current.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 5-10 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,368 Kバイト