第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23048,SPC23231

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Reduction of Junction Temperature with Local Lifetime Control and High Density Arranged Diode for 3rd Gen. 650V RC-IGBT

著者名: 阪口 浩介(三菱電機),小西 和也(三菱電機),江口 佳佑(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機)

著者名(英語): Kosuke Sakaguchi(Mitsubishi Electric),Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric),Keisuke Eguchi(Mitsubishi Electric),Shinya Soneda(Mitsubishi Electric)

キーワード: 局所ライフタイム制御|プロトン|ダイオードレイアウト|ジャンクション温度|電力損失|Local Lifetime Control|proton|diode layout|junction temperature|power loss|RC-IGBT

要約(日本語): RC-IGBTの電力損失とジャンクション温度(Tj)を低減するためには、ドリフト層のキャリア分布とダイオードのレイアウトの両方を最適化する必要がある。本研究では、CSTBTTMをベースとし、プロトン注入による局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードレイアウトにより、Tjの大幅な低減を達成した第3世代650V RC-IGBTを提案する。提案する第3世代RC-IGBTは、損失を5%低減し、Tjを18%低減することに成功した。

要約(英語): In order to reduce power losses and Junction-to-case temperature (ΔT(j-c)) of RC-IGBTs, optimization of both carrier distribution in drift-layer and the diode layout is required. In this study, we propose 3rd generation 650V RC-IGBT based on CSTBTTM, which achieves a significant reduction of ΔT(j-c) using Local Lifetime Control (LLC) with proton implantation and high density arranged diode layout. Our proposed 3rd generation RC-IGBT successfully reduces power losses by 5% and ΔT(j-c) by 18%.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 17-21 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,845 Kバイト