超低損失RC-IGBTのためのダイオード構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23049,SPC23232

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Novel Diode Structure for Ultra-Low-Loss RC-IGBTs

著者名: 山下 侑佑((株)豊田中央研究所),町田 悟((株)豊田中央研究所),斎藤 順((株)ミライズテクノロジーズ),妹尾 賢((株)デンソー)

著者名(英語): Yusuke Yamashita(Toyota Central R&D Labs. Inc.),Satoru Machida(Toyota Central R&D Labs. Inc.),Jun Saito(MIRISE Technologies Corporation),Masaru Senoo(DENSO CORPORATION)

キーワード: ＲＣ－ＩＧＢＴ|逆回復|オン抵抗|ライフタイム|正孔注入|RC-IGBT|Reverse Recovery|On-resistance|Lifetime|Hole Injection

要約(日本語): RC-IGBTはDiodeとIGBTを一体化し、小型高密度なパワー半導体として有用である。しかしDiodeの損失低減のために、ライフタイム制御を行うと、IGBTのライフタイムも変化してしまいIGBT損失が増加する。本研究ではIGBT特性へ影響を与えることなく、Diodeの損失を低減するRC-IGBT向けDiode構造について報告する。

要約(英語): RC-IGBT integrates Diode and IGBT, making it a useful compact and high-density power semiconductor. However, implementing lifetime control to reduce Diode losses leads to changes in IGBT lifetime, increasing IGBT losses. In this study, we report on a Diode structure for RC-IGBT that mitigates Diode losses without affecting IGBT characteristics.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 23-27 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,534 Kバイト