低スイッチング損失を実現するトリプルゲートIGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23051,SPC23234

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Ultra-Low Switching Loss Triple-Gate controlled IGBT

著者名: 坂野 竜則(東芝),足立 建人(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝),岩鍜治 陽子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Kento Adachi(Toshiba Corporation),Tomoaki Inokuchi(Toshiba Corporation),Kazuto Takao(Toshiba Corporation),Yoko Iwakaji(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|トリプルゲート|ダブルゲート|ゲート制御|スイッチング損失|コントロールゲート|IGBT|triple-gate|double-gate|gate control|switching loss|control gate

要約(日本語): ターンオン損失(Eon)とターンオフ損失(Eoff)の両方を大幅に低減する1.2kV耐圧トリプルゲートIGBT(TG-IGBT)を提案する。TG-IGBT素子を試作し、従来のシングルゲート IGBT と比較して、Eon と Eoff をそれぞれ50%、 28%低減することを確認した。デバイス構造とトリプルゲート制御条件を最適化することで、Si-IGBTの特性をさらに改善できることを実証した。

要約(英語): A triple-gate Si-IGBT (TG-IGBT) is proposed in order to improve both turn-on loss (Eon) and turn-off loss (Eoff) by using a triple-gate drive control technique. We fabricated a 1.2-kV TG-IGBT that achieved 50% and 28% reduction for Eon and Eoff. This result indicates that it is possible to overcome the limitations of Si-IGBT by optimizing the device structure and triple-gate drive control.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 35-40 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,904 Kバイト