過渡的なゲート閾値計測によるジャンクション温度モニタリング方法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23055,SPC23238

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Dynamic threshold voltage-based junction temperature measurement method using PCB current sensor

著者名: Bayarsaikhan Yandagkhuu(九州工業大学),一郎 大村(九州工業大学)

著者名(英語): Yandagkhuu Bayarsaikhan(Kyushu Institute of Technology),Omura Ichiro(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 温度測定|スレッショルド電圧|ＴＳＥＰ|ロゴスキーコイル|ＰＣＢセンサ|電流測定|Temperature measurement|Threshold voltage|TSEP|Rogowski coil|PCB sensor|Current measurement

要約(日本語): パワーMOSFETの接合温度モニタリングは素子の劣化をモニタリングする際に重要なパラメータである。本稿では、PCB電流センサを用いた回路によりターンオン時のある電流閾値でトリガをかけ、ゲート波形から閾値を抽出し、接合温度を連続的にモニタリングするシステムを提案する。さらにダブルパルス試験により動作の確認を行う。

要約(英語): Junction temperature is crucial indicator of power device health. Novel temperature measurement method based on dynamic threshold voltage with current measuring function is proposed. Method uses compact PCB sensor to capture dynamic gate-source voltage at predetermined drain current levels. Complete monitoring system was developed and verified by double pulse test.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 59-63 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,870 Kバイト