パワーデバイスの短絡破壊メカニズムに関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23056,SPC23239

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Consideration on IGBT short-circuit withstand capability.

著者名: 佐藤 伸二(産業技術総合研究所),山口 大輝(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所),田尾 仁志(小松製作所),黒柳 貴夫(小松製作所)

著者名(英語): Shinji Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Daiki Yamaguchi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hitoshi Tao(Komatsu Ltd.),Takao Kuroyanagi(Komatsu Ltd.)

キーワード: パワーデバイス|ＭＯＳＦＥＴ|ＩＧＢＴ|接合温度|破壊メカニズム|短絡電流|Power device|MOSFET|IGBT|junction temperature|Destruction mechanism |Short-circuit current

要約(日本語): パワーデバイスが破損する条件としては，過電圧や過電流，過熱などがあり，それぞれ破損に至るメカニズムがある。それらのメカニズムを明らかにし，それをうまく回避できれば，デバイス破損による事故を回避できる可能性が高くなる。本報告では，飽和電流からデバイス内部温度を推定できることに着目，短絡による過渡発熱と熱拡散から，デバイス内部の温度を算出する。過熱による破損を回避する設計を考察する。

要約(英語): If the failure mechanism of power devices can be elucidated and avoided, the possibility of avoiding accidents due to equipment failure will increase. Focusing on the fact that the internal temperature of the element can be estimated from the short-circuit saturation current, the breakdown mechanism is considered from the internal temperature.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 65-69 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,470 Kバイト