金属ベース基板を適用したSiCパワーモジュールの最適化設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23058,SPC23241

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2023/10/23

タイトル(英語): Thermal Design Optimization of SiC Power Module with Insulated Metal Substrates

著者名: 竹田 駿(東芝デバイス＆ストレージ),河野 洋志(東芝デバイス＆ストレージ),三宅 英太郎(東芝デバイス＆ストレージ),井口 知洋(東芝),小谷 和也(東芝インフラシステムズ)

著者名(英語): Shun Takeda(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ),Hiroshi Kono(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ),Eitaro Miyake(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ),Tomohiro Iguchi(Toshiba Corporation),Kazuya Kodani(Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation)

キーワード: パワーデバイス|パワーモジュール|低熱抵抗|金属ベース基板|ベイズ最適化|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|Power Devices|Power Modules|Low Thermal Resistance|Insulated Metal Substrates|Bayesian Optimization|SiC-MOSFET

要約(日本語): SiCパワーモジュールは大容量化に伴い、低熱抵抗化の要求が高まっている。従来のパワーモジュールでは絶縁基板としてセラミック基板が主流であったが、近年では絶縁層に樹脂を使用した低コストな金属ベース基板が注目を集めている。本研究では、SiCパワーモジュールに金属ベース基板を適用し、さらにベイズ最適化により基板設計を最適化することで、セラミック基板を超える低熱抵抗化を実現可能であることを明らかにした。

要約(英語): We fabricated low thermal resistance power modules by using insulated metal substrates (IMS). IMS have an integrated insulation layer that can reduce thermal resistance of bonding layer. Additionally, by applying thermal design optimization that maximize heat dissipation, we demonstrate that it is possible to reduce thermal resistance less than ceramic ones.

本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 77-80 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,413 Kバイト