ヒューズ内で発生する高温Cu/SiO2混合ガスに対する臨界換算電界の決定要因ー温度3000-5000 Kー

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP23087,SP23029,HV23058

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2023/11/03

タイトル(英語): Predominant factor determing critical electric field strength for high-temperature Cu/SiO2 vapor mixture formed in fuse -Temperature : 5000-3000 K-

著者名: 兒玉 直人(名古屋大学),中村 哉太(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),竹中 湧(名古屋大学),岩田 幹正(名古屋大学)

著者名(英語): Naoto Kodama(Nagoya university),Kanata Nakamura(Nagoya university),Yasunobu Yokomizu(Nagoya university),Waku Takenaka(Nagoya university),Mikimasa Iwata(Nagoya university)

キーワード: 直流ヒューズ|Ｃｕ／ＳｉＯ２混合蒸気|臨界換算電界|電子エネルギー分布関数|電子励起断面積|DCFuse|Cu/SiO2 vapor mixture|Critical electric field strength|Electron energy distribution function|Electron collision

要約(日本語): アーク消弧後のヒューズに対し，高温(5-3 kK)のCu/SiO2混合蒸気に対する臨界換算電界Ecr/Nを理論計算した。平衡組成と電離断面積の観点からは，Cu濃度が高いほど，Ecr/Nの低下が予測された。一方で，理論計算の結果，温度5-3 kKでは高いCu濃度でEcr/Nが上昇する傾向が得られた。この原因として，Cu原子と電子間の電子励起衝突により電子のエネルギーが著しく減少したことが考えられる。

要約(英語): We calculated critical reduced electric-field strength Ecr/N for Cu/SiO2 vapor mixture formed in fuse. From view point of chemical composition and ionization collision cross-section, it is predicted that increasing Cu-vapor concentration decays Ecr/N. On the other hands, as a result of calculation, high-concentration Cu-vapor increased Ecr/N at temperature between 5000-3000 K. The rise in Ecr/N arise from electron energy loss due to electronic excitation collision of Cu atom.

本誌: 2023年11月6日-2023年11月7日放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会-1

本誌掲載ページ: 21-26 p

原稿種別: 日本語

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