MgAl2O4絶縁層を用いたトンネル磁気抵抗素子のノイズ特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG23085

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2023/11/10

タイトル(英語): Characterization of noise properties in magnetic tunnel junctions with MgAl_2 O_4 insulating layer

著者名: 新居 慎太郎(東北大学),中野 貴文(東北大学),大兼 幹彦(東北大学)

著者名(英語): Shintaro Nii(Tohoku University),Takafumi Nakano(Tohoku University),Mikihiko Oogane(Tohoku University)

要約(日本語): トンネル磁気抵抗(TMR)センサの実用化のために、1/fノイズの低減が大きな課題である。従来のMgO絶縁層よりも強磁性層との格子整合性の高いMgAl2O4(MAO)を絶縁層に用いることで、格子欠陥の減少による電気的1/fノイズの低減が期待される。本研究では、MAO絶縁層を用いたトンネル磁気抵抗素子(MTJ)のノイズ特性評価を行い、MgO絶縁層の素子と比較して、約1/10のノイズ低減効果が得られる可能性を明らかにした。

要約(英語): Reduction in 1/f noise is an issue for the tunnel magneto-resistive sensors. By using MgAl2O4 (MAO) insulating layers, 1/f noise is expected to be reduced due to good lattice matching with ferromagnetic layers. We characterized the 1/f noise in magnetic tunnel junctions with MAO layers and compared to MgO layers.

本誌: 2023年11月13日マグネティックス研究会

本誌掲載ページ: 7-8 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,106 Kバイト