高純度窒化ガリウムスパッタリングターゲットを用いたエピタキシャル成長と評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23002

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Fabrication and Characterization of Epitaxial Film by High-purity GaN Sputtering Target

著者名: 上岡 義弘(東ソー)

著者名(英語): Yoshihiro Ueoka(Tosoh Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|ＧａＮ|スパッタ|バッファ層|ＨＥＭＴ|マイクロＬＥＤ|gallium nitride|GaN|sputter|buffer layer|HEMT|micro LED

要約(日本語): GaNの成膜に一般的に用いられるMOCVD法は、高結晶性膜が得られるが、1000℃以上の高温が必要、原料の利用効率が低い、大面積への成膜が困難といった課題がある。スパッタリング法はこれらの課題を解決できる可能性があり、当社では高純度・高密度GaNターゲットを開発している。本講演では、成膜品の評価結果を交えながら、既存のGaNデバイスやマイクロLEDディスプレイ等への適用可能性について紹介する。

要約(英語): The MOCVD method widely used to grow GaN films is problematic in terms of issues such as raw material utilization efficiency and formation of large-area films. We have recently developed a high-purity GaN sputtering target. Sputter epitaxy has great potential for low cost and high productivity of GaN devices.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 3-6 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,185 Kバイト