Hf0.5Zr0.5O2絶縁膜上へ溶液塗布成膜したTIPS-ペンタセン薄膜の構造評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23007

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Structural investigation of TIPS-pentacene thin films deposited on Hf0.5Zr0.5O2 insulating surface

著者名: 河野 裕太(大阪工業大学),北村 太慈(大阪工業大学),山本 英資(大阪工業大学),小池 一歩(大阪工業大学),丸山 伸伍(東北大学),廣芝 伸哉(大阪工業大学)

著者名(英語): Yuta Kawano(Osaka Institute of Technology),Daiji Kitamura(Osaka Institute of Technology),Eisuke Yamamoto(Osaka Institute of Technology),Kazuto Koike(Osaka Institute of Technology),Shingo Maruyama(Tohoku University),Nobuya Hiroshiba(Osaka Institute of Technology)

キーワード: ＦｅＦＥＴ|ＨｆＺｒＯ２|ＴＩＰＳ－Ｐｅｎｔａｃｅｎｅ|溶液塗布熱分解法|スピンコート法|有機薄膜|FeFET|HfZrO2|TIPS-Pentacene|Cemical Solution Deposition|Spincoat Method|Organic thin film

要約(日本語): 我々は、強誘電体ゲートトランジスタの作製とメモリ応用を目指している。我々は半導体層としてTIPS-pentacene，強誘電性材料としてHf0.5Zr0.5O2に注目している． TIPS-pentaceneは溶媒可溶な高移動度を示す有機半導体である．また，Hf0.5Zr0.5O2は溶液法で成膜可能な強誘電性絶縁体である．本研究では，Hf0.5Zr0.5O2絶縁膜上でのTIPS-pentaceneの成膜について詳細に調べた．TIPS-Pentacene/Hf0.5Zr0.5O2 薄膜の有機半導体層の結晶性や表面モルフォロジーを詳細に調査したので報告する。

要約(英語): Our final goal is to fabricate ferroelectric gate transistors(FeFETs) and to apply them to memory applications. In this study, we focused on TIPS-pentacene as the semiconductor layer and Hf0.5Zr0.5O2 as the ferroelectric material. TIPS-pentacene is a solvent-soluble organic semiconductor with high field-effect mobility. Hf0.5Zr0.5O2 is a ferroelectric insulator that can be deposited by a solution method. Here, we report the depositions of TIPS-pentacene on Hf0.5Zr0.5O2 insulators. The crystallinity and surface morphology of surfaces and interfaces in TIPS-Pentacene/Hf0.5Zr0.5O2 thin films were investigated in detail.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 23-25 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,004 Kバイト