InZnO TFT CO2ガスセンサーにおけるZn濃度と膜厚の影響
InZnO TFT CO2ガスセンサーにおけるZn濃度と膜厚の影響
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EFM23010
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会
発行日: 2023/11/19
タイトル(英語): The Effect of Zn Concentration and Film Thickness on InZnO TFT CO2 Gas Sensor
著者名: 野寺 歩夢(工学院大学),小林 亮太(工学院大学),小林 翔(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)
著者名(英語): Ayumu Nodera(Kogakuin University),Ryota Kobayashi(Kogakuin University),Tsubasa Kobayashi(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)
キーワード: 二酸化炭素|ガスセンサー|薄膜トランジスタ|酸化インジウム|酸化亜鉛|酸化物半導体|CO2|Gas Sensor|TFT|In2O3|ZnO|Oxide Semiconductor
要約(日本語): 薄膜トランジスタ(TFT)は、コストとガス感度の点で有望なガスセンサー候補である。本研究では、ZnOとIn2O3を用いてTFTを作製し、Zn濃度におけるCO2感度を測定した。さらに、高い感度を示したIn2O3でCO2感度に対する膜厚の依存性を調査し、10nmで最大感度を示した。これらのCO2ガスセンシング特性は、TFTの活性化エネルギーと電気特性に関連している。
要約(英語): CO2 gas sensors operating at relatively low temperature are demanded for many applications. Oxide thin-film transistors (TFT) are promising gas sensor candidates in terms of cost and gas sensitivity. In this study, we fabricated TFT using InZnO channel, and investigated their CO2 sensitivity depending on Zn concentration and film thicknesses.
本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会
本誌掲載ページ: 33-37 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,255 Kバイト
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