B含有In2O3へ水素ドーピングによる機械的柔軟性への効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23011

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Effect of hydrogen doping in In2O3:B on mechanical flexibility

著者名: 木菱 完太(工学院大学),山寺 真理(工学院大学),小林 翔(工学院大学),鷹野 一朗(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Kanta Kibishi(Kogakuin University),Shinri Yamadera(Kogakuin University),Tsubasa Kobayashi(Kogakuin University),ichiro Takano(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: フレキシブル|水素ドーピング|ホウ素含有酸化インジウム|常温プロセス|ドナー|アモルファス|Flexible|Hydrogen doping|B doped In2O3|Room temperature process|Doner|Amorphous

要約(日本語): 次世代エネルギー・情報デバイスには，常温プロセス可能な高透明でフレキシブルな導電膜が求められている．我々が開発したBドープIn2O3 (In2O3:B)ではBがキャリアを生成しないため，抵抗率はITOよりも劣る問題点がある．水素はIn2O3内でドナーとして働くとともに，結晶構造を崩すことから，In2O3:Bの低抵抗化と柔軟性向上が期待できる．本研究では，水素ドープによるフレキシブルIn2O3:Bのさらなる低抵抗化と機械的柔軟性の向上を調査した．

要約(英語): Room-temperature processable highly transparent and flexible conductive films are required for future electronics. We developed flexible and transparent In2O3 using B dopant, which induces structural amorphization, however, the resistivity is still high. Here we fabricated In2O3 thin films co-doped with B and H and investigated their electrical properties and mechanical flexibilities.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 39-42 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,065 Kバイト